Закономерности образования и роста вакуумных покрытий
Рефераты по химии / Закономерности образования и роста покрытий / Закономерности образования и роста вакуумных покрытийСтраница 2
Расчеты показывают, что если массы атома подложки и атома, взаимодействующего с поверхностью, примерно равны и Е¯ < 25 Eа то аккомодация практически всегда полная, и в итоге атом закрепляется (адсорбируется) на поверхности. Если взаимодействующий с поверхностью атом имеет массу меньшую атома подложки, то аккомодация всегда неполная (ат<1).
2. Поверхностная диффузия. В зависимости от условий формирования покрытий, адсорбированный атом в процессе диффузии может либо закрепиться на зародыше конденсированной фазы (устойчивой металлической частице), либо же через некоторое время tа, называемое временем жизни в адсорбированном состоянии, перейти в газовую фазу (в десорбированное состояние). Поверхностная диффузия характеризуется длиной диффузионного пробега Х=(2Dtа )1/2= 2а exp[(Еа – Еd)/2kT] , которая равна расстоянию, проходимому атомом на поверхности за время его жизни в адсорбированном состоянии tа (а – расстояние между соседними адсорбционными узлами поверхности; D–коэффициент поверхностной диффузии; Еа и Еd – энергия активации процессов адсорбции и поверхностной диффузии соответственно; k - постоянная Больцмана).
Образование покрытия происходит в результате взаимодействия адсорбированных атомов между собой и с атомами подложки. Следует различать следующие, протекающие последовательно стадии роста покрытия:
- образование адсорбционной фазы;
- зародышеобразование конденсированной фазы;
- рост зародышей;
- взаимодействие зародышей между собой и их слияние (коалесценция);
- образование сплошного покрытия и его дальнейший рост.
Каждая из этих стадий характеризуется особенностями структурного состояния, и кинетика их протекания оказывают влияние на свойства формируемых покрытий.
Информация о химии
Ленард (von Lenard), Филипп Эдуард Антон фон
Немецкий физик Филипп Эдуард Антон фон Ленард родился в Прессбурге в Австро-Венгрии (ныне Братислава, Словакия) и был единственным ребенком состоятельного виноторговца Филиппа фон Ленарда и урожденной Антонии Бауман. Когда Ленард ...
Пуанкаре (Poincare), Жюль Анри
Французский математик и физик Жюль Анри Пуанкаре родился в г. Нанси. Учился в Политехнической (1873-1875), затем в Горной (1875-79) школах в Париже. С 1886 г. профессор Парижского университета. Был членом Бюро долгот (с 1893). Тру ...
Гесс (Hess), Герман Иванович (Герман Генрих)
Русский химик Герман Иванович (Герман Генрих) Гесс родился в Женеве в семье художника, который вскоре переехал в Россию. В 15-летнем возрасте Геcc уезжает в Дерпт (ныне Тарту, Эстония), где учится сначала в частной школе, а затем ...
